型号：JGP-450型单室磁控溅射系统

生产厂商：中科院沈阳科学仪器有限公司

技术指标：

载片直径小于30mm的各种基片，基片加热与水冷独立工作；永磁靶3套，φ60mm；各靶射频溅射与直流溅射兼容，靶与样品间距离可调；样品台转速每分钟5-10转，基片加热最高温度至600 ℃ ；薄膜不均匀度：＜ 5%。

功能及可开设实验项目：

薄膜共溅射沉积和各种氮化物和氧化物薄膜反应溅射沉积，即设备可在片状或类似形状样品表面镀制各种金属、非金属、化合物等薄膜材料。如Al、Au、Pt、Cr、Ti、Ni、Cu、NiCr、TiW、W、SiO2、Al2O3、TaN、ITO、AZO等。可开设应用磁控溅射法制备各种薄膜材料等实验。

联系人：实训楼C410 张越老师

       唐立丹老师